Hersteller Produktnummer:
TSM4N60ECH C5G
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM4N60ECH C5G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 86.2W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventar:
12899272
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TSM4N60ECH C5G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
545 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
86.2W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251 (IPAK)
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
TSM4N60
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,750
Andere Namen
TSM4N60ECH C5G-DG
TSM4N60ECHC5G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPS80R2K4P7AKMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IPS80R2K4P7AKMA1-DG
Einheitspreis
0.37
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